| dc.contributor.advisor | Γαλατά, Σωτηρία | |
| dc.contributor.author | Τσιούρης, Βασίλης | |
| dc.date.accessioned | 2019-11-05T09:33:58Z | |
| dc.date.available | 2019-11-05T09:33:58Z | |
| dc.date.issued | 17-10 | |
| dc.identifier.uri | http://okeanis.lib2.uniwa.gr/xmlui/handle/123456789/5096 | |
| dc.description.abstract | Στην παρούσα πτυχιακή εργασία θα μελετηθούν τα τρανζίστορ επίδρασης πεδίου και θα παρουσιαστούν οι αρχές λειτουργίας των τρανζίστορ με τη μελέτη να εστιάζεται στα MOSFET. Σκοπός της πτυχιακής εργασίας είναι να πραγματοποιήσουμε μετρήσεις για κάποια από τα βασικά χαρακτηριστικά των τρανζίστορ ώστε να εξετάσουμε κατά πόσο τα ηλεκτρικά χαρακτηριστικά των τρανζίστορ παραγωγής που διατίθενται στο εμπόριο ταυτίζονται ή όχι. Για να ελέγξουμε τα παραπάνω, θα συλλέξουμε κάποια τρανζίστορ από την αγορά ώστε να προχωρήσουμε σε μία διαδικασία αξιολόγησης κάποιων βασικών τους χαρακτηριστικών και θα συγκρίνουμε έπειτα για ιδίου τύπου τρανζίστορ το πώς αυτά μεταβάλλονται. Χρησιμοποιώντας εργαστηριακό εξοπλισμό όπως παλμογράφο, τροφοδοτικά, γεννήτριες κλπ θα μπορέσουμε πειραματικά στο εργαστήριο να συλλέξουμε μετρήσεις για τα τρανζίστορ όπως αντίσταση, χωρητικότητα και διαγωγιμότητα και να τα συγκρίνουμε. Τέλος, θα παρουσιάσουμε τα συμπεράσματα στα οποία καταλήγουμε αναφορικά με την ταύτιση των μετρήσεων και τη συμπεριφορά των τρανζίστορ σε σύγκριση με τις προδιαγραφές του κατασκευαστή. | el |
| dc.format.extent | 83 | el |
| dc.language.iso | el | el |
| dc.publisher | Α.Ε.Ι. Πειραιά Τ.Τ. | el |
| dc.subject | TPSH::Τεχνολογία::Ηλεκτρονική::Ηλεκτρονικές Μετρήσεις | el |
| dc.title | Ηλεκτρικός χαρακτηρισμός mosfet και τεχνικές ταυτοποίησης ομοιότητας | el |
| dc.title.alternative | Electrical characterizations of mosfet matching techniques | el |
| dc.type | Πτυχιακή εργασία | el |
| dc.contributor.committee | Τσακιρίδης, Οδυσσέας | |
| dc.contributor.committee | Μαγγανά, Φωτούλα | |
| dc.contributor.department | Τμήμα Ηλεκτρονικών Μηχανικών Τ.Ε. | el |
| dc.contributor.faculty | Σχολή Τεχνολογικών Εφαρμογών | el |
| dc.subject.keyword | MOSFET | el |
| dc.subject.keyword | Ηλεκτρικός χαρακτηρισμός | el |
| dc.subject.keyword | Τρανζίστορ | el |
| dc.subject.keyword | Τρανζίστορ επίδρασης πεδίου | el |
| dc.description.abstracttranslated | In this thesis, the field effect transistors will be studied and the principles of transistors operating with the study focused on MOSFETs will be presented.The purpose of the thesis is to measure some of the basic characteristics of transistors in order to examine whether or not the electrical characteristics of commercially available transistors are identical. To test the above, we will collect some transistors from the market to go through a process of evaluating some of their key features and then compare for a transistor of the same type how they change.Using laboratory equipment such as oscilloscopes, power supplies, generators etc. we will be able to experimentally collect measurements for transistors such as resistance, capacitance and conductivity and compare them.Finally, we will present the conclusions we draw on the identification of the transistors measurements and the behavior compared to the manufacturer's specifications. | el |
